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MRF8P23080HR3 MRF8P23080HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
27 33 3628.5
30
31.5
34.5
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQA
= 280 mA,
Pulsed CW, 10
μsec(on), 10% Duty Cycle
50
47
38
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
44
51.5
54.5
37.5
24
25.5
22.5
53
41
21
Ideal
Actual
2350 MHz
2400 MHz
2350 MHz
2300 MHz
2300 MHz
2400 MHz
48.5
45.5
42.5
39.5
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2300
59
47.7
69
48.4
2350
58
47.6
68
48.3
2400
54
47.3
68
48.3
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
2300
P1dB
8.40 -- j14.3
3.60 -- j5.30
2350
P1dB
11.4 -- j13.4
3.70 -- j5.20
2400
P1dB
17.7 -- j9.30
3.10 -- j5.10
Figure 11. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
NOTE: Measurement made on the Class AB, carrier side of the device.
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